FCE（當量電導率）對于EDI系統(tǒng)性能非常重要。電去離子EDI系統(tǒng)出水水質取決于電導率、二氧化碳和二氧化硅的含量，而所有這些因素都可以通過FCE組合在一起表征。

      在實際運行中，為了使電去離子EDI系統(tǒng)正常工作，給水必須是高質量的反滲透(RO)滲透水，對RO滲透水進行詳細的分析是提供預估FCE數(shù)據(jù)的依據(jù)。

      FCE能確定EDI系統(tǒng)運行的“負載”，能夠較好地預測電去離子化性能。隨著FCE的增加，EDI系統(tǒng)的負載增加，EDI產(chǎn)水品質將有所下降。

      理論解釋如下：

      FCE通常是指電導率和離子的負載。離子的負載由總二氧化碳（CO₂ + HCO₃ ^- + CO₃^2-濃度為ppm級）和硅（SiO₂濃度為ppm級）構成，而電導率加權的權重則與水處理經(jīng)驗有關。
 

      FCE經(jīng)驗公式如下：

      FCE（μS /cm）=電導率（μS /cm）+ 2.79 *（總二氧化碳，ppm）+ 1.94 *（二氧化硅，ppm）

      式中，總CO₂ （ppm）是CO₂、HCO₃ ^- 和CO₃^2-的濃度之和。

      這一點很重要，原因有二。首先，隨著pH值的變化，二氧化碳的總量保持不變，但存在的形式會從一種轉化為另一種形式；其次，離子交換樹脂對二氧化碳及其離子形式的吸收較弱，這便增加了EDI的負載。例如：電導率為5μS /cm，CO₂濃度為3ppm，HCO₃ ^-濃度為3ppm，SiO₂濃度為1 ppm，則：FCE= 5 + 2.79 * 6 + 1.94 * 1 = 23.7μS /cm

     注意：在這個例子中許多用戶只會考慮EDI的負載5μS /cm，但實際上EDI負載幾乎是24μS /cm。顯而易見，CO₂和HCO₃ ^-對電去離子化的負荷有顯著的貢獻。在pH =7.0的EDI內部，大部分的CO₂以碳酸氫鹽離子（HCO₃ ^-）的形式存在。

                                          

      EDI模塊內充滿了離子交換樹脂，可以從給水中去除離子負載，然后為帶電物質向陽極（+）和陰極（-）遷移/擴散提供介質，它們穿過離子交換膜進入濃縮室，然后被帶走，遷移/擴散的結果是產(chǎn)生了超純水。

      EDI模塊內部這種樹脂填充分布可以被認為是一個“工作床” 和一個“拋光床”。“工作床”可以被認為是陰陽離子和HCO₃ - 被吸收的地方。EDI模塊內部的“工作床”的高度與FCE大致成正比，“工作床”可以使EDI的出水達到0.1μS /cm,或10 Megohm-cm (10 MΩ)。“拋光床”的高度隨著“工作床”高度的增加而減小，而“拋光床”的高度會進一步提高EDI的出水純度并去除SiO2等其它弱電解質離子。

      因此，為了獲得最高的純度的EDI產(chǎn)水，必須將EDI 模塊內部“拋光床” 高度最大化，因此必須給水的FCE降到最低。

      具體如下圖：

      降低FCE的方法如下:

      1. 通過使用高質量的反滲透膜和控制反滲透進水pH值來增加反滲透的脫鹽率；

      2. 二級RO系統(tǒng)中，可以在二級RO系統(tǒng)進水前注入氫氧化鈉，調節(jié)二級RO進水pH值， 以此方法來提高二級RO對于CO₂經(jīng)的脫除率和RO的脫鹽率，經(jīng)過兩級RO后使得EDI的最佳FCE為：1~5μS/cm，通常用于火力發(fā)電或供熱機組，電子、半導體等領域工業(yè)除鹽水、超純水（高純度和低硅水平的水質對高參數(shù)發(fā)電機組、半導體芯片質量是至關重要的）。

      3. 單級RO可以實現(xiàn)FCE值：10~30μS /cm，而這主要依賴于給水和二氧化碳，符合制藥PW生產(chǎn)和許多工業(yè)需求的要求。向RO系統(tǒng)中設置GTM膜脫氣系統(tǒng)以去除溶解的CO2氣體（GTM進水pH值應小于6.1，以獲得最佳的CO₂去除效果）。RO + GTM可以實現(xiàn)FCE的值為5~15μS/cm，這適合于特定進水水質條件和產(chǎn)水品質要求不高的純水、除鹽水領域。

      綜上所述，F(xiàn)CE代表電去離子EDI系統(tǒng)的負載，是EDI產(chǎn)水性能的主要預測指標。了解FCE對超純水系統(tǒng)的設計具有重要意義，為EDI系統(tǒng)的預處理提供了最佳選擇。